4. N 通道空乏型 DMOS,已知夾止電壓 =-4V,某學生設計偏壓如圖(四),問電晶體工作於哪區域? (A)歐姆區 (B)夾止區 (C)截止區 (D)崩潰區
4. N 通道空乏型 DMOS,已知夾止電壓 =-4V,某學生設計偏壓如圖(四)..-阿摩線上測驗