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44. 有一 n 通道空乏型金屬氧化半導體場效電晶體(MOSFET)運作於夾止飽和區，其導電參數 K = 0.5 mA/V²，若直流工作點之汲極電流為 I_D=8 mA，試求 g_m 為何？
(A) 2 mS
(B) 4 mS
(C) 6 mS
(D) 8 mS

台電◆電子學 - 113 年 - 113 台灣電力公司_新進僱用人員甄試試題_專業科目 A：電子學#119792

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【站僕】摩檸Morning：有沒有達人來解釋一下?

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