34. 有關以 15 族元素摻雜 Si 形成 n 型半導體的敘述，下列何者正確？(A)價帶(valence band)中空穴(hole)濃度大增，費米能階(Fermi level)下移(B)費米能階上移，靠近導帶(condution band)(C)能隙(band gap)顯著放大(D)電子遷移率必定下降