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36 假設在室溫之下，矽半導體之本質載子濃度（intrinsic carrier concentration）ni為 10¹⁰ cm-³，若已知某一矽半導體之電子濃度為 2× 10¹⁷ cm^-3 ，則其電洞濃度為何？
(A) 2× 10¹⁷ cm^-3
(B) 2× 10²⁷   cm^-3
(C) 2× 10⁷ cm^-3
(D) 5× 10²  cm^-3

初等/五等/佐級◆電子學大意- 97 年 - 97 鐵路特種考試_佐級_電子工程：電子學大意#22359

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Anish Liu 小一上 (2021/02/22)

ni^2=n*p

p=10^20/（2＊10^１７）＝５＊１０^２

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