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初等/五等/佐級◆電子學大意
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97年 - 97 初等考試_電子工程:電子學大意#38824
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試題詳解
試卷:
97年 - 97 初等考試_電子工程:電子學大意#38824 |
科目:
初等/五等/佐級◆電子學大意
試卷資訊
試卷名稱:
97年 - 97 初等考試_電子工程:電子學大意#38824
年份:
97年
科目:
初等/五等/佐級◆電子學大意
37一個MOSFET完整的小信號等效電路模型如下所示,試問 C
gs
產生的原因為何?
(A)兩層隔開之導電層相互之間受電場感應堆積電荷所致
(B)pn接面於逆偏壓條件(reverse biased condition)下,pn兩層半導體在界面附近電荷 量變化所致
(C)pn接面於順偏壓條件(forward biased condition)下,導通電流在界面附近堆機電荷 所致
(D)半導體晶格內缺陷中心捕捉電荷,改變局部電荷分布所致
正確答案:
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詳解 (共 1 筆)
Ma
B2 · 2017/06/05
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