38.如【圖 38】所示電路，RB = 20 kΩ，β = 99，若矽電晶體工作於飽和區，下列敘述何者正確？
(A) V_C＞V_B
(B)V_out≒12V
(C) V_in≧2.4V
(D)I_C約為 12mA

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統計： A(14), B(7), C(18), D(99), E(0) #930756

詳解 (共 2 筆)

V字白喵(臺鐵電務佐級)

B1 · 2018/06/27

#2878730

(A) NPN電晶體工作在飽和區條件：V...

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Rascal

B2 · 2021/08/07

#4985425

BJT 飽和區有三個特性 1. B-C...

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