38.有關 PN 接面的半導體敘述，下列何者錯誤？ (A) P 型半導體的濃度高於 N 型半導體的濃度時，其 P 型側的空乏區寬度較寬 (B)PN 接面的空乏區內P 型側內含有負離子 (C)在逆向偏壓下，PN 接面會形成一空乏電容，其大小與偏壓成反比 (D) PN 接合時，所產生的空乏區將抑制擴散電流