39 當MOSFET工作於飽和區（saturation region）時，其I_D與V_GS的關係為何？（下式中Vt為MOSFET之臨限電壓（threshold voltage））

(A)I_D與V_GS幾乎無關

(B)I_D正比於V_GS

(C)I_D正比於（V_GS-V_t）

(D)I_D正比於（V_GS-V_t）²

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