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上一題

4. N 通道空乏型 DMOS，已知夾止電壓 =-4V，某學生設計偏壓如圖(四)，問電晶體工作於哪區域?

(A)歐姆區
(B)夾止區
(C)截止區
(D)崩潰區



4. N 通道空乏型 DMOS，已知夾止電壓 =-4V，某學生設計偏壓如圖(四)..-阿摩線上測驗