41 有一個 N 通道增強型 MOSFET 之臨界電壓 Vt = +3V，VG = 5V，VS = +0V，則下列 哪個 VD電壓可使電晶體操作飽和區？
(A) 0 V
(B) 1 V
(C) 1.5 V
(D) 5 V

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統計： A(0), B(0), C(0), D(3), E(0) #3849417