44.在P型與N型半導體接合時，接合面形成的空乏區，其作用爲何？
(A)抑制漂移電流
(B)增加漂移電流
(C)增加擴散電流
(D)抑制擴散電流

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統計： A(26), B(15), C(18), D(50), E(0) #971171