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A.電工原理、B.電子概論
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106年 - 106 台灣中油股份有限公司_僱用人員甄試_儀電類(含睦鄰):電工原理、電子概論#68182
> 試題詳解
48.若某雙極性接面電晶體的基極電流 I
B
=20μA,集極電流 I
C
=1mA,且電晶體的 β=200, 則此電晶體工作在哪一區?
(A)飽和區
(B)截止區
(C)反向作用區
(D)作用區
答案:
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統計:
A(302), B(16), C(8), D(21), E(0) #1766947
詳解 (共 1 筆)
廖智帆
B1 · 2019/10/09
#3611766
(共 1 字,隱藏中)
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1
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49.有關直接耦合放大器,下列敘述何者正確? (A)低頻響應佳,工作點較不穩定 (B)低頻響應佳,工作點穩定 (C)低頻響應差,工作點較不穩定 (D)高低頻響應皆佳,工作點亦穩定
#1766948
50.某一JFET之 IDSS= 12mA,VGS(OFF) = -4V,求此JFET在 VGS= -2V的 gm值為多少? (A)12mʊ (B)8mʊ (C)6mʊ (D)3mʊ
#1766949
51.如右圖電路中,若 R1= 10kΩ,R2 = 20kΩ, R3= 20kΩ,R4 = 40kΩ,V1 = 1V, V2= 4V,則輸出電壓 為?(A)-3V (B)3V (C)6V (D)-6V
#1766950
52.如右圖電路,若發生無法振盪,應如何解決?(A)將R4電阻值調大 (B)將R3電阻值調大 (C)加大電源電壓 (D)將R1電阻值調小
#1766951
53.二極體在逆向偏壓時,則下列對障壁電位與空乏區之敘述何者正確? (A)障壁電位減少,空乏區變寬 (B)障壁電位增加,空乏區變窄 (C)障壁電位減少,空乏區變窄 (D)障壁電位增加,空乏區變寬
#1766952
54.如右圖為一倍壓電路,Vin=Vmsinωt V,有關於電路中的二極體與電容器敘述,下列何者錯誤? (A)C3電容上的耐壓為1Vm (B)C1電容上的耐壓為1Vm (C)C2電容上的耐壓為1Vm (D)此電路為三倍倍壓電路
#1766953
55.射極回授式偏壓電路,為了提高工作點的穩定度,而在射極端加入電阻,此為何種回 授電路? (A)集極回授 (B)負回授 (C)正回授 (D)與回授無任何關係
#1766954
56.為使電晶體放大器在操作時得到不失真的放大,則直流偏壓的工作點要在直流負載線 的哪一部分? (A)最底邊 (B)最右方 (C)中點 (D)最上方
#1766955
57.關於BJT射極隨耦器之敘述,下列何者錯誤? (A)電壓增益略小於1 (B)輸出訊號與輸入訊號相位相反 (C)輸入阻抗最大 (D)電流增益高於1
#1766956
58.下列哪一種串級放大電路,最常使用於積體IC內部電路? (A)變壓器耦合串級放大電路 (B)直接耦合串級放大電路 (C)RC耦合串級放大電路 (D)電感交連放大電路
#1766957
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