5 某一增強型 MOSFET 其臨界電壓 V_t = 2 V，若源極接地而直流電源 3 V 接到閘極，當 V_DS= 0.5 V 時，試問該 MOSFET 操作在什麼區域？
(A)崩潰區（breakdown region）
(B)飽和區（saturation region）
(C)三極管區（triode region）
(D)主動區（active region）

初等/五等/佐級◆電子學大意- 108 年 - 108 初等考試_電子工程：電子學大意#73988

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	yigbtc 國一上 (2019/01/08) ...看完整詳解 (內容隱藏中) 查看隱藏文字

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	3F 1000060370503 國二下 (2019/11/30) 檢舉

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