5 某增強型 NMOS 場效電晶體的 V_t = 0.7 V、μ_nC_ox(W/L) = 25 μA/V²，今若其源極（Source）電壓 0.5 V，閘極（Gate）電壓 1.0 V，汲極（Drain）電壓 1.5 V，則此電晶體工作在：
(A)飽和區（Saturation region）
(B) 截止區（Cutoff region）
(C)三極體區（Triode region）
(D) 主動區（Active region）

初等/五等/佐級◆電子學大意- 103 年 - 103 地方政府特種考試_五等_電子工程：電子學大意#28882

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	1F pole~zero 高二下 (2015/11/21) (內容隱藏中) 查看隱藏文字
	2F nba17240 大二下 (2021/09/13) 因為Vgs<Vt 截止檢舉

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