50.一空乏型 NMOSFET 的 I_DSS = 9 mA、V_P = −3 V，當 V_DS = 4 V 時，則 V_GS= 1 V 與−1 V 的 I_D比值為何？
(A) 1 : 1
(B) 16 : 9
(C) 16 : 4
(D) 16 : 1

1. 題目解析這題的主要目的是要計算...