51.一增強型(enhancement type) NMOSFET 的臨界電壓(threshold voltage) V_T = 1 V，且在 V_GS = 4 V 時的飽和汲極電流為 9 mA，則 V_GS = 3 V 時的 I_D為何？
(A) 0 mA
(B) 4 mA
(C) 9 mA
(D) 16 mA

Id(VGS)=k*(VGS-VT)^2...