51.一增強型(enhancement type) NMOSFET 的臨界電壓(threshold voltage) V_T = 1 V，且在 V_GS = 4 V 時的飽和汲極電流為 9 mA，則 V_GS = 3 V 時的 I_D為何？
(A) 0 mA
(B) 4 mA
(C) 9 mA
(D) 16 mA

【阿摩】未分類題庫- 103 年 - 103 中華電信股份有限公司所屬機構從業人員(基層專員)遴選試題_資訊類專業職(三)專員：(1)計算機概論 (2)電子學 #122472

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