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103年 - 103 中華電信股份有限公司所屬機構從業人員（基層專員）遴選_資訊類專業職（四）第一類專員：電子學#93854
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59.在邏輯帶(logic band)區域所定義的四種邏輯準位電壓參數，其間正確的大小關係為：
(A)
(B)
(C)
(D)
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31.已知矽在溫度 300 K 時的本質載子濃度(intrinsic carrier concentration) 為，若摻雜的受體(acceptor) 濃度為，則此時少數載子(minority carrier)的濃度為何？ (A) (B)(C) (D)
#2552639
32.某 pn 接面二極體在溫度 300 K、逆向偏壓(revers-bias)電壓為 1 V 時的電流為A，則在同樣溫度下、逆向偏壓電壓為 0.5 V 時的電流為何？ (A) (B) (C) (D)
#2552640
33.某一齊納二極體(Zener diode)流過 5 mA 時的跨壓為 3.65 V，若流過 10 mA 時的跨壓為 3.70 V，則其等效串聯 電阻(equivalent series resistance)為何？ (A) 0 Ω (B) 10 Ω (C) 370 Ω (D) 730 Ω
#2552641
34.假設交流電源，則經半波整流後的平均輸出電壓為何？(A)(B) 110 V (C) (D)
#2552642
35.如【圖 35】所示之二極體截波器(clipper)，若 vi = 10 sin (2π×60t) V 且= 8 V，則 vo的最大值為何？ (A) 0 V (B) 2 V (C) 10 V (D) 18 V
#2552643
36.根據穩壓率的定義：，若，請問下列的值符合 5%的穩壓率要求者為何？ (A) 5.0 V (B) 5.1 V (C) 5.2 V (D) 5.3 V
#2552644
37.在常用的雙極性接面電晶體(BJT)的三個半導體區域內，何者寬度最窄？ (A)射極(emitter, E) (B)基極(base, B) (C)集極(collector, C) (D)不一定
#2552645
38.某 BJT 的 BE 接面為逆向偏壓、BC 接面為順向偏壓，則該 BJT 的操作模式為： (A)順向作用區(forward active region) (B)截止區(cutoff region) (C)逆向作用區(reverse active region) (D)飽和區(saturation region)
#2552646
39.某 BJT 的共射極電流增益(common-emitter current gain) β = 99，則其共基極電流增益 (common-base current gain) α為何？ (A) 0.99 (B) 1 (C) 1.01 (D) 100
#2552647
40.下列四種 TRIAC 的觸發模式中，何者所需的閘極電流為最小？ (A)正端電壓、負閘極電流 (B)正端電壓、正閘極電流 (C)負端電壓、正閘極電流 (D)負端電壓、負閘極電流
#2552648
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