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32. 在一N 通道增強型MOSFET 共源極放大電路中，如果所用的電晶體臨界電壓 VT = 2 伏特(V)，導電參數 K=1mA/V ²，下列敘述何者正確？
(A) 若是 V_GS<2V，則此電晶體將工作於歐姆區(三極體區)，此時沒有通道可以導通電流
(B) 此電晶體的汲極電流(ID )是以電洞作為主要載子，並由閘源間電壓(V_GS )控制此電流大小
(C) 在MOSFET放大器實驗中，閘極電流(IG )大於汲極電流(ID )是正常現象
(D) 此放大電路工作在飽和區時，汲極電流可由閘源間電壓(V_GS )控制。當 VGS等於3伏特時，汲極電流(I_D )為 1 毫安培(mA)

統測◆04電機與電子群資電類◆(二)數位邏輯、數位邏輯實習、電子學實習、計算機概論- 103 年 - 103 四技二專統測_電機與電子群資電類_專業科目(二)：數位邏輯、數位邏輯實習、電子學實習、計算機概論#17890

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	Zinc Wang (2017/12/24) A:VGS<2V時若工作於歐姆區 ★★☆☆☆... (內容隱藏中) 查看隱藏文字

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