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上一題
10 場效電晶體（FET）之門檻（threshold）電壓 Vth之敘述何者正確？
(A)加強型（enhancement）NMOS Vth＜0
(B)乏型（depletion）NMOS Vth＞0
(C)加強型（enhancement）PMOS Vth＞0
(D)加強型（enhancement）PMOS Vth＜0

答案：D
難度： 簡單
最佳解!
黑貓氏 幼兒園下 (2020/03/13)
加強型（enhancement）.....★★★★★★，...


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10 場效電晶體（FET）之門檻（threshold）電壓 Vth之敘述何者正確..-阿摩線上測驗