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10. 圖(四)所示的n通道增強型金氧半場效電晶體(enhancement NMOSFET)，其臨界電壓(threshold voltage)Vt=2V。已知其在飽和區工作時(假設通道長度調變效應可以忽絡)，4伏特的閘 - 源電壓會產生4毫安培的汲極(drain)電流。試問此電路中的汲極電流ID值為多少毫安培(mA)？

(A) 3
(B) 2
(C) 1
(D) 0

統測◆(一)電子學、基本電學- 96 年 - 96 二技統測_電機類、電子類_專業科目(一)：電子學與電路學#19066

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