【問卷-英文學習功能需求】只要填寫就能獲得500Y,結束時間 2024/06/03 12:00。 前往查看

統測◆(一)電子學、基本電學題庫下載題庫

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2. 有一矽半導體在溫度 T = 300 o K 下,本質載子濃度 ni為 5 × 1012 cm-3,若掺雜五價的雜質, 且雜質濃度為 1016 cm -3 ,此時電洞濃度為 p,電子濃度為 n,則 p+n 約為:
(A) 1016 cm -3
(B) 108 cm -3
(C) 5 × 1012 cm -3
(D) 5 × 104 cm -3


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 【站僕】摩檸Morning:有沒有達人來解釋一下?
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2. 有一矽半導體在溫度 T = 300 o K 下,本質載子濃度 ni為 5..-阿摩線上測驗