【系統公告】頁面上方功能列及下方資訊全面更換新版，舊用戶可再切回舊版。前往查看

38 如圖所示為閘極和源極接在一起的 n 通道空乏型（Depletion mode）MOSFET 電路，其參數值如下： V_DD＝5 V，I_D＝0.5 mA，V_tn（臨限電壓）＝－2 V，若此電晶體被偏壓在非飽和區工作，則電阻 R_s至少須為多少？
(A) 6 kΩ
(B) 5 kΩ
(C) 4 kΩ
(D) 3 kΩ

初等/五等/佐級◆電子學大意- 95 年 - 95 地方政府特種考試_五等_電子工程：電子學大意#20380

答案：登入後觀看
難度： 適中

討論
私人筆記( 0 )

最佳解!
	sam255tw 高三下 (2018/03/15) 題目訂在非飽和區工作----> V☆☆&☆☆;... (內容隱藏中) 查看隱藏文字

你可以購買他人私人筆記。

初等/五等/佐級◆電子學大意題庫下載題庫