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19. 下列對於半導體之敘述，何者錯誤？
(A) 當加逆向偏壓於 PN 接面時，空乏區會變窄
(B) 當加順向偏壓於 PN 接面時，空乏區外存在擴散電容
(C) 在本質半導體中摻雜五價元素，可形成 N 型半導體
(D) 當加小於崩潰電壓之逆向偏壓於 PN 接面時，仍有少數載子流動，此為逆向飽和電流

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難度： 適中

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