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30. 如圖 ( 六 ) 所示之 JFET 自給偏壓電路，若飽和電流 I_DSS= 4 mA，V_DD = 12 V，截止電壓 V_{GS (OFF)}= – 3.9V，則下列敘述何者正確？

(A) 將R_S短路時，量測之電流I_D變小圖(六)
(B) 電阻R_G愈大，則量測之電流I_D愈大
(C) 其偏壓V_GS主要由電流I_D與電阻R_S之乘積決定
(D) 當V_DD增加至18V時，量測之電流I_D會增大1.5倍

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難度： 適中

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	源源幼兒園下 (2020/05/10) 空乏型JFET 其ID =(IDSS/V☆^2)........ (內容隱藏中)* 查看隱藏文字

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統測◆03電機與電子群電機類◆(二)電工機械、電子學實習、基本電學實習題庫下載題庫