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10 利用浮動閘極電晶體（Floating-Gate Transistor）的記憶細胞（Memory Cell）為：
(A) SRAM（靜態隨機存取記憶體）
(B) EPROM（可擦式及可程式唯讀記憶體）
(C) DRAM（動態隨機存取記憶體）
(D) ROM（唯讀記憶體）

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難度： 困難

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	DS2 幼兒園下 (2021/04/22) 其實這題是觀念題，我的課本是在“數位邏輯... (內容隱藏中) 查看隱藏文字

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