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上一題
31.在P型與N型半導體接合時,接合面形成的空乏區,其作用爲何?
(A)抑制漂移電流
(B)增加漂移電流
(C)增加擴散電流
(D)抑制擴散電流


31.在P型與N型半導體接合時,接合面形成的空乏區,其作用爲何? (A)抑..-阿摩線上測驗