醫學物理學與輻射安全題庫下載題庫

當蓋革管突崩停止後，正離子漸往陰極移動，若此正離子有多餘的能量，將使管壁材料 放出電子，此電子經氣體增殖後，將產生假訊號，為了防止這種現象，則必須採行加入 淬熄(quenching)氣體的內部淬熄或控制電路的外部淬熄。蓋革計數器的淬熄(quenching) 內部淬熄的方法係在筒內充入 5-10％的淬熄氣體，通常係比主氣體分子構造較為複雜而 且游離能較低的氣體，例如乙醇(ethyl alchol)和甲酸乙酯。如果使用氯氣或溴氣為淬息 氣體，則因分解後能再自行結合，計數器的壽命較長。 外部淬熄一般以外加電路使高壓在每個脈衝之後自動降低到無法再產生進一步的氣體 放大的強度，降低的時間約為幾百微秒。然其缺點是計數率會偏低。 

半導體偵檢器與充氣式偵...

當蓋革管突崩停止後，正離子漸往陰極移動，若此正離子有多餘的能量，將使管壁材料 放出電子，此電子經氣體增殖後，將產生假訊號，為了防止這種現象，則必須採行加入 淬熄(quenching)氣體的內部淬熄或控制電路的外部淬熄。蓋革計數器的淬熄(quenching) 內部淬熄的方法係在筒內充入 5-10％的淬熄氣體，通常係比主氣體分子構造較為複雜而 且游離能較低的氣體，例如乙醇(ethyl alchol)和甲酸乙酯。如果使用氯氣或溴氣為淬息 氣體，則因分解後能再自行結合，計數器的壽命較長。 外部淬熄一般以外加電路使高壓在每個脈衝之後自動降低到無法再產生進一步的氣體 放大的強度，降低的時間約為幾百微秒。然其缺點是計數率會偏低。 

半導體偵檢器與充氣式偵檢器原理相同，不同的是它以半導體介質代替兩極間的氣體。 半導體要使原先存在價帶的電子跳至導電帶所需的能量也很小，只有 2.98 至 6.5 eV 左 右。此能量比氣體產生一正負離子對所需的能量小一個級數，故相同的入射輻射會產生 較多的電子－電洞對，而因此可降低計數的統計誤差，並提升對能量解析度(resolution)。 半導體做成具整流作用的 p-n 或二極體形式。為了增加電子－電洞的收集效率，半導體 在計測時必須加上逆向電壓，使其內部形成一個空乏區(depletion  region)。只有在空乏 區內的電子－電洞才能被分離而收集，故欲有效偵測射程較遠的高能或強穿輻射，必須 選用空乏區寬度超過輻射在偵檢器內射程的半導體材料。