21 關於 n-MOSFET，其臨界電壓為 Vt，下列敘述何者錯誤？
(A)空乏型者可工作於 V_GS< 0
(B) 增強型通常工作於 V_GS > V_t
(C)空乏型之 V_t > 0
(D) 增強型之 V_t > 0

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難度： 非常簡單

	1F willen451022 國一下 (2016/05/10) 為什麼答案不是(A)? 檢舉
	2F stitchcca 國三下 (2016/05/10) 空乏型n-MOSFET可工作在VGS<0(空乏模式) 及 VGS>0(增強模式) 檢舉
	3F svcopcc 國三下 (2017/05/08) 一張圖用兩次太划算惹檢舉

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