25 關於 BJT 電晶體之敘述，下列何者錯誤？
(A)若電晶體操作於主動區，其基極與射極之接面電容 Cπ較基極與集極之接面電容 C_μ為大
(B)若電晶體操作於飽和區，其基極與集極之接面電容 C_μ較操作於主動區時為大
(C)若電晶體操作於主動區時，其電流增益 i_c /i_b較操作於飽和區時為大
(D)爾利電壓 V_A（Early voltage）與電晶體操作於主動區時之輸出阻抗成反比

初等/五等/佐級◆電子學大意- 103 年 - 103 地方政府特種考試_五等_電子工程：電子學大意#28882

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	Wu_2383 高三下 (2019/11/21) A. BE順偏, 空乏區小, Cpi大, ☆☆★★,... (內容隱藏中) 查看隱藏文字

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