五、有一個 NMOS 邏輯電路如圖五所示，其中電晶體 Q1 、Q2 與 Q3 的臨界電壓 （Threshold Voltage） 分別為= 1 V，(W /L) 2 = (W /L)3 = 4(W /L )1， = 5 V ，忽略通道長度調變（Channel Length Modulation）與基底效應 （Body Effect）。請計算：
(一) = 0 V 時， ？
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= 1 V，(W /L) 2 = (W /L)3 = 4(W /L )1， 
= 5 V ，忽略通道長度調變（Channel Length Modulation）與基底效應 （Body Effect）。請計算：
= 0 V 時， 
？