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102年 - 102 身心障礙特種考試_四等_電力工程:電子學概要#44274
> 申論題
題組內容
一、分析圖一之電路:
㈡若運算放大器之開路增益(open-loop gain)A 並非無限大,且 R
2
=10 kΩ、R
1
=1 kΩ, 在需要將㈠求出之電壓增益誤差壓低到 1% 以內的條件下,A 的最小數值為何? (10 分)
相關申論題
㈠若使用理想之運算放大器,請計算電壓增益 vO / vI ;(10 分)
#145327
三、在純矽半導體中參雜(doping)適量的磷原子(擁有 5 個價電子)之後,請說明會 形成 n 型(n type)或 p 型(p type)半導體?參雜前後自由電子與電洞的數目有何 改變,亦請說明?(10 分)
#145329
四、請說明二極體之匱乏區(depletion region)如何形成。在未施加任何偏壓之下,二極 體的陽極(anode)與陰極(cathode)之電位孰高孰低?請務必說明原因。(10 分)
#145330
(二)當 vA = vB = 5 V 時,vO = ?(15 分)
#570154
(一)當 vA = vB = 0 V 時,vO = ?(10 分)
#570153
三、圖 三 為 一 個 npn 雙 載 子 接 面 電 晶 體 ( BJT ) 疊 接 放 大 器 ( Cascode Amplifier)電路,電晶體 Q1 與 Q2 皆工作在主動模式(Active Mode) 下。為計算方便,未顯示其偏壓電路,但已知 IC2 = 1 mA。電晶體 Q1 與 Q2 的參數如下:β1 = β2 =100,VA1 = VA2 = 150 V,VT1 = VT2 = 25 mV, Cπ1 = Cπ2 = 15 pF,Cμ1 = Cμ2 = 0.3 pF,CS1 = CS2 = 0。電路部分,Rsig = 2 kΩ, RL = 4 kΩ,CL = 20 pF。請計算中頻增益 AM 與上 3dB 頻率 fH。(25 分)
#570152
二、圖二為一個 pnp 雙載子接面電晶體(BJT)電路,電晶體 Q 的參數如下: β = 100,ro = ∞,VT = 25mV,如果電晶體 Q 導通,其 VEB = 0.7V。電路 中,RB = 100kΩ,RE = 5kΩ,RL = 2kΩ,CC 是一個耦合電容,其值為∞。 請計算輸入電阻 Rin、輸出電阻 Rout 與電壓增益 vo/vsig。(25 分)
#570151
一、有一個理想運算放大器(Operational Amplifier)電路如圖一所示,輸入電 壓信號分別為 V0、V1、V2 與 V3,輸出電壓信號為 Vo。電路中 R = 10kΩ。 請計算 Vo。(25 分)
#570150
四、有一個串並(Series-Shunt)回授放大器電路如圖三所示,所有電晶體均工作 在飽和區(Saturation Region)。為計算方便,未顯示其偏壓電路。NMOSFET 電晶體 Q1 與 PMOSFET 電晶體 Q2 的參數如下:g m1 = g m2 = 5 mA/V, ro1 = ro2 = ∞。電路中,RD1 = 10 kΩ,RD2 = 10 kΩ,R1 = 2kΩ,R2 = 18 kΩ。 請計算:電壓增益 vo/vs、輸入電阻 Rin 與輸出電阻 Rout。(25 分)
#569908
三、圖二為一個 NMOS 場效電晶體(FET)電路,電晶體 Q1、Q2 與 Q3 的參數 如下:所有電晶體的 kn' = μnCox = 500 μA/V2,Vtn = 0.5 V,λ1 =λ2 = λ3 = 0, L1 = L2 = L3 = 0.5 μm,W1 = 2 μm,W2 = W3 = 10 μm。當 IREF = 50 μA 時, R 值為何?IREF = 50 μA 時,同時計算 V1、V2、V3 與 I2。(25 分)
#569907
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