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113年 - 113 普通考試_電力工程、電子工程、電信工程:電子學概要#121320
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題組內容
三、
(一)已知某個積體電路儀表(IC instrument)放大器之參數:閉環路電壓增益(A
cl
)為 500,R
1
=R
2
=25 kΩ,試求外部增益設定電阻(R
G
)值。(12 分)
相關申論題
一、如圖一之二極體電路中,假設稽納(Zener)電壓 VZ =12 V,及其電阻 rz=0Ω。若欲使稽納二極體之電流,等於 40 V 之電源所提供電流的十分之一時,試求 所需之負載電阻(RL)值。(25 分)
#516625
二、如圖二電路之參數:RIn =1 kΩ、RF =9 kΩ,及 R1 =2 kΩ、R2 =3 kΩ,請利用疊加(superposition)原理,試求此理想運算放大器(Ideal Op)之輸出電壓(vO)值。(25 分)
#516626
(二)已知某一個運算互導放大器(OTA)的增益(gm)為 1000μS,當其輸入電壓(Vin)為 25 mV 時,試求其輸出電流(Iout)值。(13 分)
#516628
四、如圖三之反相器(inverter)數位電路中,當 vI =5 V 時,試求該反相器之輸出電壓(vO)與功率損耗(P) 。(25 分)
#516629
(二)當 vA = vB = 5 V 時,vO = ?(15 分)
#570154
(一)當 vA = vB = 0 V 時,vO = ?(10 分)
#570153
三、圖 三 為 一 個 npn 雙 載 子 接 面 電 晶 體 ( BJT ) 疊 接 放 大 器 ( Cascode Amplifier)電路,電晶體 Q1 與 Q2 皆工作在主動模式(Active Mode) 下。為計算方便,未顯示其偏壓電路,但已知 IC2 = 1 mA。電晶體 Q1 與 Q2 的參數如下:β1 = β2 =100,VA1 = VA2 = 150 V,VT1 = VT2 = 25 mV, Cπ1 = Cπ2 = 15 pF,Cμ1 = Cμ2 = 0.3 pF,CS1 = CS2 = 0。電路部分,Rsig = 2 kΩ, RL = 4 kΩ,CL = 20 pF。請計算中頻增益 AM 與上 3dB 頻率 fH。(25 分)
#570152
二、圖二為一個 pnp 雙載子接面電晶體(BJT)電路,電晶體 Q 的參數如下: β = 100,ro = ∞,VT = 25mV,如果電晶體 Q 導通,其 VEB = 0.7V。電路 中,RB = 100kΩ,RE = 5kΩ,RL = 2kΩ,CC 是一個耦合電容,其值為∞。 請計算輸入電阻 Rin、輸出電阻 Rout 與電壓增益 vo/vsig。(25 分)
#570151
一、有一個理想運算放大器(Operational Amplifier)電路如圖一所示,輸入電 壓信號分別為 V0、V1、V2 與 V3,輸出電壓信號為 Vo。電路中 R = 10kΩ。 請計算 Vo。(25 分)
#570150
四、有一個串並(Series-Shunt)回授放大器電路如圖三所示,所有電晶體均工作 在飽和區(Saturation Region)。為計算方便,未顯示其偏壓電路。NMOSFET 電晶體 Q1 與 PMOSFET 電晶體 Q2 的參數如下:g m1 = g m2 = 5 mA/V, ro1 = ro2 = ∞。電路中,RD1 = 10 kΩ,RD2 = 10 kΩ,R1 = 2kΩ,R2 = 18 kΩ。 請計算:電壓增益 vo/vs、輸入電阻 Rin 與輸出電阻 Rout。(25 分)
#569908
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