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110年 - 110 高等考試_三級_電力工程、電子工程、電信工程:電子學#102524
> 申論題
題組內容
三、下圖電路
,電晶體參數:
。
(一)當電晶體
=0.5mA及
(overdrivevoltage)=0.5V,求算增益
(僅直流分析時可忽略通道調變效應)。(8分)
相關申論題
(一)求算R值。(10分)
#432023
(二)當M2操作於飽和區時,求算最小電壓。(10分)
#432024
(一)假設運算放大器為理想,二極體D1的電壓電流關係式為,且當1mA流過D1的跨壓為0.8V。當 =2V,求算。(10分)
#432025
(二)假設運算放大器增益為50,二極體跨壓為固定的0.8V,當=3V, 求算。(10分)
#432026
(二)假設為弦波信號且電晶體操作於飽和區,求算可允許的最大峰值與相對應的。(12分)
#432028
(一)求算閉迴路增益。(10分)
#432029
(二)求算。(10分)
#432030
五、(一)CMOS邏輯包含上拉網路(pull-upnetwork)與下拉網路(pull-down network),試畫出CMOS邏輯之電路。(10分)
#432031
(二)下圖為一反相器電路的標準元件,若要求第(一)小題CMOS邏輯需與此 標準反相器有相似的傳遞時間,請標示第(一)小題CMOS邏輯電路中每 顆電晶體的寬長比(W/L)。(10分)
#432032
6. 已知下圖疊接放大電路之MOSFET參數K₁=K₂=0.5mA/V²,靜態汲極電流ID為0.5mA,則電路之gm為?
#566892
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