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100年 - 100 地方政府特種考試_三等_電力工程、電子工程、電信工程:電子學#45252
> 申論題
題組內容
三 、試分析以下之電路。若R
L
= 1 kΩ,C = 1 μF,電晶體M
1
與Q
1
之轉導值(gm)皆為 1 mA/V,且其輸出阻抗(r
o
)皆為無窮大,Q
1
之電流增益值β = 100,電流源I
b1
與I
b2
之 輸出阻抗亦為無窮大。
⑴試求高頻小信號增益( v
o
/v
i
)為何?(10 分)
相關申論題
⑴試求 vo 為何?(10 分)
#151619
⑵試求小信號增益( vo/vi )為何?(5 分)
#151620
⑴試求Vo =?(10 分)
#151621
⑵若 PN 接面溫度上升至 50℃,則Vo =?(10 分)
#151622
⑵試求 vo/vi 之低頻 3dB 頻率點為何?(10 分)
#151624
⑴試求低頻小信號增益( vo/vi )為何?(10 分)
#151625
⑵試求( vo/vi )之低頻 3dB 頻寬。(10 分)
#151626
⑴試求Vo之頻率。(5 分)
#151627
⑵Vo之工作週期(duty cycle)為何?(10 分)
#151628
⑶試求 NAND gate 之動態功率消耗。(10 分)
#151629
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