題組內容
五、利用pseudo-NMOS製作CMOS反相器的技術中，其中電子移動率與氧化層電容乘積 μnCox＝115 μA/V2，電洞移動率與氧化層電容乘積μpCox＝30 μA/V2，NMOS及PMOS 元件之臨界電壓分別為 0.4V及-0.4V，並且NMOS與PMOS的閘極寬度與閘極長度 的比值各別為(W/L)n＝1.5 與(W/L)p＝0.64，反相器之等效電容值為 7fF，VDD＝2.5V
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