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高等電子電路學
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106年 - 106 公務升官等考試_簡任_電子工程、電信工程：高等電子電路學研究（包括類比與數位）#66349
> 申論題
題組內容
一、如圖（一）之雙極性接面電晶體（BJT）放大電路，電晶體參數為：β = 100、V
A
= ∞， 電容器 C
C1
= C
C2
= 1 pF。試求：
⑵電壓增益 A
V
= v
o
/v
s
=？（10 分）
相關申論題
⑴電晶體參數 rπ =？（10 分）
#266155
⑶電流增益 Ai = io/is =？（10 分）
#266157
⑴輸出阻抗 Ro =？（10 分）
#266158
⑵開路差動模式之電壓增益（open-circuit differential-mode voltage gain）？（10 分）
#266159
⑴ vo =？（10 分）
#266160
⑵ vGSX及 vGSY分別為何？（10 分）
#266161
⑴試設計繪製一具有該邏輯函數之 CMOS 電路圖。（20 分）
#266162
⑵如果一基本 CMOS 反相器（inverter）之電晶體參數值：(W/L)n = 2、(W/L)p = 4，如 欲使⑴之 CMOS 電路具有對稱之切換時間、且兩倍於該基本 CMOS 反相器之切換 速度，試求⑴之 CMOS 電路中，每一 NMOS 及 PMOS 電晶體之(W/L)值，分別為 何？（10 分）
#266163
⑶試以二輸入 AND、OR 及 XOR 邏輯閘實現一位元加法器。（10 分）
#327892
⑵請寫出進位之布林函數（Boolean Function）。（10 分）
#327891
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