題組內容

二、於圖二中，2 個NMOS的電晶體Q1及Q2之臨界電壓皆為 0.6V，其中電晶體Q1及Q2的 電子移動率與氧化層電容乘積皆為μnCox=200μA/V2，而Q1及Q2的閘極寬度與閘極長 度的比值各別為(W/L)1=5 與(W/L)2=6.25，忽略短通道長度調變效應（λ=0），試求當 ID1=80 μA時，

⑵電晶體Q2的汲極電壓VD2=？（20 分）