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99年 - 99 普通考試_電力工程、電子工程、電信工程：電子學概要#46775
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題組內容
五、一加強型NMOS電晶體其Vt=2V，源極接地，閘極接 3V電源，試問
⑵ V
D
=1V，
相關申論題
一、請說明 N 型半導體與 P 型半導體放在一起形成 PN 接面，為何於接面處形成內建電 場，請說明之，並請繪圖標示電場方向。（10 分）
#160462
二、一電流放大器有輸入阻抗 100 Ω，輸出阻抗 100 kΩ，電流增益 10000，若電流源具 100 kΩ 電源電阻，且負載 100 Ω，求電壓增益與功率增益。（10 分）
#160463
三、若二極體為理想二極體，求圖⑴之 I 與 V。（8 分）
#160464
四、設電晶體β為無限大，求圖⑵所標示之I1，V2，I3，V4，I5，V6。（12 分）
#160465
⑴VD =0.5V，
#160466
⑶VD =5V時電晶體工作在那一種模式？請說明之。（9 分）
#160468
六、設|vBZ| ≈ 0.7 V，α≈1，分析電路圖⑶之vE，vC1，vC2。（9 分）
#160469
七、某並串回授放大器如圖⑷所示，其中之電流放大器為一理想放大器。Is =100 µA， If =90µA，Io =10mA。試求電流放大器之電流增益A及此回授放大器之回饋因子β， 並標示其單位。（12 分）
#160470
八、若一電晶體額定功率為 20 W，最大接面溫度Jj,max=175 ℃，有一θcase-snk=1 ℃/W和θsnk- amb=5 ℃/W的散熱器加在電晶體上，試求電晶體最大安全消耗功率。（設外界溫度 為 25 ℃）（10 分）
#160471
⑴vI = φ = 5V，
#160472
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