一、IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣閘雙極電晶體）具有高頻率、高電壓、大電流，易於開關等優良性能，故在電力電子應用中日趨重要，已廣泛應用於家電、交通與電網等系統。試說明 IGBT 的工作原理，並就 IGBT 與功率 MOSFET（power MOSFET）在趨動方式（Drive method），輸入阻抗（input impedance），趨動功率以及操作頻率等方面之優劣作一比較，說明理由。（15 分）