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半導體元件
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96年 - 96 專利商標審查特種考試_三等_電子工程、光電工程：半導體元件#50536
> 申論題
三、⑴試說明一面心立方晶體（Face-Center Cubic）之原子結構，並算出整個晶體空間 原子所佔的空間比例為多少？
相關申論題
⑵試說明半導體雷射二極體的發光原理。 （20 分）
#179485
四、⑴一矽二極體為單一側陡峭接面（One-Side Abrupt Junction），P、N 側之濃度各為 NA ＝1019cm–3 ，ND ＝1016cm–3 。試計算空乏層之厚度及在零偏壓下最大的電場 （矽的εr＝12，室溫下的本質濃度 ni＝1.45×1010/cm3）。
#179486
⑵試說明如何以四點探針法（Four-Point Probe）量測半導體特性。 （20 分）
#179487
五、⑴試說明如何得到白色光源的固態照明。
#179488
⑵試繪圖說明 pnp 電晶體的 I-V 特性曲線圖。 （20 分）
#179489
⑴θ t，（5 分）
#179490
⑶出薄片時光線對入 射光線的側面位移 。（10 分）
#179492
⑴汞燈的光譜在綠光的部分，中央波長為 546.1nm，頻寬為∆υ = 6×108 Hz，
#179493
⑵氦 氖雷射的中央波長為 632.8nm，頻寬為 ∆υ = 106 Hz，試問⑴及⑵的相干長度 lC 各為 多少？（14 分）
#179494
⑴抗反射薄膜材料的折射 率，
#179497
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