二、假設NMOS元件在閘極及源極加適當VGS 電壓，同時在汲極及源極加適當VDS 電壓，讓元件導通於三極管區（triode region），然後VDS再增加時，其IDS電流的變化為何？同時說明其原因。（20 分）

四、圖四為一個串並（Series-Shunt）回授放大器電路，電路中 npn BJT 電晶體 Q1 與 Q2 的參數如下：β1=β2 = 100 ， = 10 mA/V ， = 10 kΩ ， = ∞ 。電路中， = 20 kΩ ， = 20 kΩ ， R1 = 2 kΩ ， R2= 18 kΩ 。請計算：電壓增益、輸入電阻與輸出電阻。