申論題

二、有一陡接面（abrupt junction）的矽 p-n 二極體，p 型的濃度為 Na = 2 × 10¹⁶ cm，n 型 的濃度為 N_d = 1 × 10¹⁶ cm⁻³，在零偏壓 V_a = 0 之下，求出p 型區的空乏區寬度x_p，n 型 區的空乏區寬度 x_n。若 V_a = 0.5 V，求出 p 型區的空乏區寬度 x_p，n 型區的空乏區寬 度 x_n。熱電壓 V_t = kT/q = 0.0259 V，矽的本質濃度 n_i = 1.0 × 10¹⁰ cm⁻³，矽的介電係數Si = 11.7 × 8.85 × 10  ⁻¹⁴ F/cm。（20 分）