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101年 - 101 專利商標審查特種考試_三等_電子工程:半導體元件#44818
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申論題
試卷:101年 - 101 專利商標審查特種考試_三等_電子工程:半導體元件#44818
科目:半導體元件
年份:101年
排序:0
申論題資訊
試卷:
101年 - 101 專利商標審查特種考試_三等_電子工程:半導體元件#44818
科目:
半導體元件
年份:
101年
排序:
0
申論題內容
五、⑴以矽材料的 pn 二極體為例,如果對此 pn 二極體施加順向偏壓,內建能障(built- in potential)會隨著施加順向偏壓的增加而減少,如果施加的順向偏壓接近或大於 內建能障的電壓值,此 pn 二極體的內建能障會等於零嗎?請說明原因。(10 分)