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  2. 申論題
  3. 半導體工程
  4. 五、已知純 Si 之原子密度為 5×10

半導體工程題庫

【非選題】
五、已知純 Si 之原子密度為 5×1022 cm -3，而 SiO2之分子密度為 2.2×1022 cm -3。設有一氧 化製程如下列程序： 
①初始為<100> 之 P 型 Si 晶片 
②成長 400 nm 之氧化層 
③進行微影蝕刻（Lithography） 
④乾蝕刻（Dry etch）氧化層 400 nm 
⑤去光阻 ⑥擴散（diffuse）磷雜質以得到（n+）區 
⑦濕氧化（wet oxidation）t 分鐘 下列左圖表示經步驟 6 後得到之結構，若將之再進行步驟 7 之氧化後其結構則如下列右圖。 試依據氧化的理論，計算：


【題組】(一)成長一單位體積之 SiO2時，將消耗多少體積之 Si？（10 分）