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111年 - 111 地方政府特種考試_四等_電力工程、電子工程、電信工程:電子學概要#112373
> 申論題
五、試以 CMOS 邏輯(CMOS logic)電路與通道晶體管邏輯(PTL:pass transistor logic)電路方式實現布林函數
之電路圖。(20 分)
相關申論題
一、如下圖為 BJT 放大器,假設在= 1 mA 條件下= 0.7 V、β= 100,請 設計電阻,使得輸出= +5 V 與集極電流(collector current)為 2 mA(=2 mA)。(20 分)
#481374
二、如下圖為儀表放大器,其中共模輸入電壓為+10 V,差動輸入電壓(V2-V1) 為0.01 sin ωt V。假設R1=1 kΩ,R2=100 kΩ and R3=R4=1 kΩ,試求、 與最後輸出電壓。
#481375
三、如下圖差動放大器其電流源 I = 0.2 mA,假設每一個 BJT 之 β=200 且爾 利電壓(early voltage)為 100 V,試求:輸入電阻(Ri) 、輸出電阻(Ro) 、 電路轉導值()、差動放大器增益() 。
#481376
四、共源放大器(common-source amplifier)之轉導值為 1 mA/V(gm=1 mA/V) , 電阻與電容值如下圖所示,其轉移函數為,忽略通道長度調變效應(channel length modulation effect) , 求此電路的增益(),三個頻率( )值。
#481377
(二)當 vA = vB = 5 V 時,vO = ?(15 分)
#570154
(一)當 vA = vB = 0 V 時,vO = ?(10 分)
#570153
三、圖 三 為 一 個 npn 雙 載 子 接 面 電 晶 體 ( BJT ) 疊 接 放 大 器 ( Cascode Amplifier)電路,電晶體 Q1 與 Q2 皆工作在主動模式(Active Mode) 下。為計算方便,未顯示其偏壓電路,但已知 IC2 = 1 mA。電晶體 Q1 與 Q2 的參數如下:β1 = β2 =100,VA1 = VA2 = 150 V,VT1 = VT2 = 25 mV, Cπ1 = Cπ2 = 15 pF,Cμ1 = Cμ2 = 0.3 pF,CS1 = CS2 = 0。電路部分,Rsig = 2 kΩ, RL = 4 kΩ,CL = 20 pF。請計算中頻增益 AM 與上 3dB 頻率 fH。(25 分)
#570152
二、圖二為一個 pnp 雙載子接面電晶體(BJT)電路,電晶體 Q 的參數如下: β = 100,ro = ∞,VT = 25mV,如果電晶體 Q 導通,其 VEB = 0.7V。電路 中,RB = 100kΩ,RE = 5kΩ,RL = 2kΩ,CC 是一個耦合電容,其值為∞。 請計算輸入電阻 Rin、輸出電阻 Rout 與電壓增益 vo/vsig。(25 分)
#570151
一、有一個理想運算放大器(Operational Amplifier)電路如圖一所示,輸入電 壓信號分別為 V0、V1、V2 與 V3,輸出電壓信號為 Vo。電路中 R = 10kΩ。 請計算 Vo。(25 分)
#570150
四、有一個串並(Series-Shunt)回授放大器電路如圖三所示,所有電晶體均工作 在飽和區(Saturation Region)。為計算方便,未顯示其偏壓電路。NMOSFET 電晶體 Q1 與 PMOSFET 電晶體 Q2 的參數如下:g m1 = g m2 = 5 mA/V, ro1 = ro2 = ∞。電路中,RD1 = 10 kΩ,RD2 = 10 kΩ,R1 = 2kΩ,R2 = 18 kΩ。 請計算:電壓增益 vo/vs、輸入電阻 Rin 與輸出電阻 Rout。(25 分)
#569908
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