
再結合區 (recombination region):not used,大多數的正負離子對將會再結合成原來的
中性分子
游離腔區(ionization region):saturation region,[飽和] 所有因為單一游離事件而產生
的正負離子對均會被收集;
訊號高低正比於所游離出的正負離子對能量;
訊號高低與外加的電壓大小無關(水平直線);
為游離腔偵檢器的工作區域
比例計數區(proportional counter region):一次游離產生的電子因電壓的增高而有足夠的動能去誘發二次游離;脈衝高低正比於所游離出的正負離子對數量;訊號高低與外加的電壓大小有關(約成正比);為比例計數器的工作區域
限制比例區(limited proportional region):not used,二次游離過程,負離子很快就被陽
極收集,正離子很慢才被陰極收集;由於正離
子的空間電荷會嚴重地影響整個偵檢器內的
電場分布狀況,因此外加電壓和電場間的關係
將呈現非線性
蓋革牟勒區(Geiger-Mueller region):電壓極高,單一游離事件即可使整個蓋革管放電;待正離子多到一定數量使得電場降低至氣體游離
的倍增作用終止,方能終止蓋革管繼續放電;蓋革管整個連續放電的過程稱為湯生雪崩;不同種類或能量的輻射所產生之訊號大小均相同;
僅能計數輻射數量,不能鑑別輻射的種類或能量;為蓋革計數器的工作區域
連續放電區(continuous discharge region):not used,電壓太高,沒有入射輻射即可收到訊號;偵檢器內的氣體分子因自行解離而產生連續放電的現象