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109年 - 109 地方政府特種考試_四等_電力工程、電子工程:電子學概要#94584
> 申論題
四、圖三為放大器的小訊號等效電路,輸出與輸入電壓 v
1
、v
2
與電流 i
1
、i
2
如圖右之矩陣關係式表示,
, 試求 a、b、c 與 d 之值,必須標明單位。(20分)
相關申論題
一、圖一中以理想方波(虛線)vi(t)測試電壓增益為+1之放大器 A 與 B 的頻 率響應,所得輸出分別為 vA(t)與 vB(t),放大器工作於線性區。對輸入信 號頻率而言,判斷 A 與 B 兩放大器各具有低通(low-pass) 、高通(high- 、帶通(band-pass) pass) 、帶止(band-stop)或全通(all-pass)中那一種 頻率響應特性,並比較放大器 A 或 B 之頻寬大小,必須說明所做判斷之 理由。(20分)
#394229
二、圖二整流電路使用理想二極體,初級圈與次級圈數比 Na:Nb = 10:1, 次級圈抽頭位置圈數比 N1:N2 = 4:1。為有效(均方根)值100 V 之正弦波。畫出輸出於負載波形,並計算其直流電壓與有效電壓值。(20分)
#394230
三、利用 NAND 與 NOT 兩種邏輯閘電路設計編碼器,總邏輯閘數目不超過 6個,將十進位數0、1、2、3以二進位表示之 AB,分別編碼為十進位數 2、3、1、0之二進位輸出 XY 表示,A、B、X、Y 是0或1之布林變數(Boolean Variables),必須說明設計的過程。(20分)
#394231
五、圖四運算放大器具有理想特性,v1 ~ v4為小訊號輸入電壓,R1 = 1 kΩ, R2 = 2 kΩ,R3 = 3 kΩ,R4 = 4 kΩ,R5 = 5 kΩ,,vo 與 v1 ~ v4之關係為何?(20分)
#394233
(二)當 vA = vB = 5 V 時,vO = ?(15 分)
#570154
(一)當 vA = vB = 0 V 時,vO = ?(10 分)
#570153
三、圖 三 為 一 個 npn 雙 載 子 接 面 電 晶 體 ( BJT ) 疊 接 放 大 器 ( Cascode Amplifier)電路,電晶體 Q1 與 Q2 皆工作在主動模式(Active Mode) 下。為計算方便,未顯示其偏壓電路,但已知 IC2 = 1 mA。電晶體 Q1 與 Q2 的參數如下:β1 = β2 =100,VA1 = VA2 = 150 V,VT1 = VT2 = 25 mV, Cπ1 = Cπ2 = 15 pF,Cμ1 = Cμ2 = 0.3 pF,CS1 = CS2 = 0。電路部分,Rsig = 2 kΩ, RL = 4 kΩ,CL = 20 pF。請計算中頻增益 AM 與上 3dB 頻率 fH。(25 分)
#570152
二、圖二為一個 pnp 雙載子接面電晶體(BJT)電路,電晶體 Q 的參數如下: β = 100,ro = ∞,VT = 25mV,如果電晶體 Q 導通,其 VEB = 0.7V。電路 中,RB = 100kΩ,RE = 5kΩ,RL = 2kΩ,CC 是一個耦合電容,其值為∞。 請計算輸入電阻 Rin、輸出電阻 Rout 與電壓增益 vo/vsig。(25 分)
#570151
一、有一個理想運算放大器(Operational Amplifier)電路如圖一所示,輸入電 壓信號分別為 V0、V1、V2 與 V3,輸出電壓信號為 Vo。電路中 R = 10kΩ。 請計算 Vo。(25 分)
#570150
四、有一個串並(Series-Shunt)回授放大器電路如圖三所示,所有電晶體均工作 在飽和區(Saturation Region)。為計算方便,未顯示其偏壓電路。NMOSFET 電晶體 Q1 與 PMOSFET 電晶體 Q2 的參數如下:g m1 = g m2 = 5 mA/V, ro1 = ro2 = ∞。電路中,RD1 = 10 kΩ,RD2 = 10 kΩ,R1 = 2kΩ,R2 = 18 kΩ。 請計算:電壓增益 vo/vs、輸入電阻 Rin 與輸出電阻 Rout。(25 分)
#569908
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