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半導體工程題庫

【非選題】
四、在 T = 300 K 時，有一金屬與 Si 接觸，其接面形成之平衡能帶如下圖所示，呈現 整流態（rectifying metal-Si contact），設此 Si 之雜質摻雜濃度為 10-16 cm -3， 試求：


【題組】(二)若欲將此金屬∕Si 接觸製作成歐姆態（ohmic metal-Si contact），則應作何處理？ （設 Si 之εSi 為 1.0×10-12 F/cm）（10 分）