阿摩線上測驗
登入
首頁
>
半導體元件
>
99年 - 99 專利商標審查特種考試_三等_光電工程：半導體元件#46983
> 申論題
四、試證明n型非簡併（non-degenerate）半導體電子濃度分佈n(E)的最大值位於導帶最 低能位（Conduction-band minimum）E
c
的上方k
B
T/2。（20 分）
相關申論題
⑴定性地繪出半導體電子遷移率（mobility）對溫度的關係，並且說明高低溫區的主 要散射機制。
#161746
⑵摻雜受體（Acceptor）的半導體，在絕對溫度＝0°K 時，其佛米能階（Fermi level） 位置在何？
#161747
⑶那二個元件物理參數決定 MOSFET 的開關（Switching）速度？
#161748
⑷ pn 二極體在高溫時，功能失效，其原因為何？
#161749
⑸請描述歐傑複合（Auger Recombination）機制，並說明其對半導體雷射二極體操 作的影響。
#161750
⑴熱平衡（Thermal equilibrium）下，蕭基能障高度（Schottky barrier height）qФB及 半導體的內建電位能qVbi為何？
#161751
⑵熱平衡下，半導體接面的電子濃度為何？
#161752
⑶熱平衡下，半導體接面的電洞濃度為何？
#161753
⑷熱平衡下，半導體空乏區寬度為何？
#161754
⑸熱平衡下，半導體接面的電洞漂移電流密度（drift current density）大小及方向為 何？
#161755
相關試卷
102年 - 102 專利商標審查特種考試_三等_電子工程：半導體元件#44203
102年 · #44203
101年 - 101 專利商標審查特種考試_三等_電子工程：半導體元件#44818
101年 · #44818
99年 - 99 專利商標審查特種考試_三等_光電工程：半導體元件#46983
99年 · #46983
96年 - 96 專利商標審查特種考試_三等_電子工程、光電工程：半導體元件#50536
96年 · #50536
阿摩線上測驗
登入
阿摩線上測驗
登入
